| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种双输入路径的超宽带低噪声放大器 | 王 晗 叶 青 ; | 200710179862.5 | 2007-12-19 |
| 一种制备交叉线阵列结构有机分子器件的方法 | 商立伟 刘 明 涂德钰 甄丽娟 刘 舸 刘兴华 ; | 200710179369.3 | 2007-12-12 |
| 一种制备有机场效应晶体管的方法 | 甄丽娟 刘 明 商立伟 刘 舸 ; | 200710179352.8 | 2007-12-12 |
| 采用电子束蒸发方式制备HfO2纳米晶的方法 | 李维龙 贾 锐 陈 晨 刘 明 陈宝钦 龙世兵 谢常青 王 琴 涂德钰 ; | 200710179371.0 | 2007-12-12 |
| 一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法 | 李诚瞻 魏 珂 郑英奎 刘果果 和致经 刘新宇 刘 键 ; | 200710179353.2 | 2007-12-12 |
| 实现将光纤阵列插入微孔阵列的装置及方法 | 李宝霞 万里兮 ; | 200710179351.3 | 2007-12-12 |
| 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计 | 刘梦新 韩郑生 赵超荣 刘 刚 ; | 200710179354.7 | 2007-12-12 |
| 功率VDMOS开启电压远程在线自动测试系统及方法 | 蔡小五 赵发展 海潮和 陆 江 王立新 ; | 200710179370.6 | 2007-12-12 |
| 一种制备硅纳米晶薄膜的方法 | 陈 晨 贾 锐 李维龙 刘 明 陈宝钦 龙世兵 谢常青 涂德钰 刘 琦 ; | 200710179368.9 | 2007-12-12 |
| 一种制作阻变存储器交叉阵列的方法 | 管伟华 龙世兵 刘 明 ; | 200710178769.2 | 2007-12-05 |
| 一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法 | 龙世兵 刘 明 贾 锐 陈宝钦 王 琴 涂德钰 胡 媛 管伟华 刘 琦 李维龙 王 永 杨潇楠 张 森 ; | 200710178778.1 | 2007-12-05 |
| 制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法 | 李维龙 贾 锐 陈 晨 刘 明 陈宝钦 谢常青 龙世兵 ; | 200710178775.8 | 2007-12-05 |
| 一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法 | 吴茹菲 张海英 尹军舰 ; | 200710178771.X | 2007-12-05 |
| 基于双层胶工艺制作X射线曝光掩膜的方法 | 刘兴华 涂德钰 朱效立 谢常青 刘 明 ; | 200710178777.7 | 2007-12-05 |
| 绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备 | 高超群 刘茂哲 罗小光 李全宝 景玉鹏 ; | 200710178774.3 | 2007-12-05 |
科研产出