专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
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单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法 | 黎 明 张海英 徐静波 付晓君 ; | 200810103226.9 | 2008-04-02 |
一种制备ZnO纳米线场效应管Al2O3栅氧的方法 | 黎 明 张海英 付晓君 徐静波 ; | 200810103225.4 | 2008-04-02 |
一种制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法 | 黎 明 张海英 付晓君 徐静波 ; | 200810103258.9 | 2008-04-02 |
在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法 | 黎 明 张海英 付晓君 徐静波 ; | 200810103256.X | 2008-04-02 |
实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法 | 黎 明 张海英 付晓君 徐静波 ; | 200810103255.5 | 2008-04-02 |
实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法 | 黎 明 张海英 付晓君 徐静波 ; | 200810103254.0 | 2008-04-02 |
在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法 | 付晓君 张海英 徐静波 黎 明 ; | 200810103227.3 | 2008-04-02 |
在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法 | 金 智 刘新宇 ; | 200810103229.2 | 2008-04-02 |
一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法 | 贾 锐 李维龙 陈 晨 刘 明 陈宝钦 谢长青 ; | 200810102796.6 | 2008-03-26 |
具有硬件信号量模块的多处理器系统及其实现方法 | 刘 建 陈 杰 岳培培 ; | 200810102795.1 | 2008-03-26 |
单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法 | 黎 明 张海英 徐静波 付晓君 ; | 200810102205.5 | 2008-03-19 |
实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法 | 黎 明 张海英 徐静波 付晓君 ; | 200810102206.X | 2008-03-19 |
功率放大器偏置电路 | 毕晓君 张海英 ; | 200810100956.3 | 2008-02-27 |
左手材料非线性传输线谐波产生器电路 | 吴茹菲 张海英 尹军舰 ; | 200810100955.9 | 2008-02-27 |
基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的方法 | 刘兴华 徐德钰 朱效立 谢常青 刘 明 ; | 200810100954.4 | 2008-02-27 |
科研产出