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专利

专利名称 发明人 申请号 申请日期
高速率半导体光发射组件的封装结构及方法 吴德馨 杨成樾 李宝霞 ; 200610003069.5 2006-02-08
异质结双极晶体管T型发射极金属图形制作方法的改进 苏树兵 刘训春 于进勇 刘新宇 王润梅 郑英奎 魏 珂 汪 宁 ; 200610003066.1 2006-02-08
用于193nm光学光刻的侧墙铬衰减型移相掩模制作方法 谢常青 刘 明 ; 200610003068.0 2006-02-08
在磷化铟InP基片上形成通孔的方法及半导体光电器件 李宝霞 吴德馨 杨成樾 ; 200610003070.8 2006-02-08
一种光开关的设计及制作工艺 董立军 陈大鹏 欧 易 景玉鹏 ; 200610002666.6 2006-01-26
采用电感实现的射频信号集成静电释放保护电路 郭慧民 陈 杰 ; 200610001709.9 2006-01-23
CMOS工艺中射频信号的集成静电释放保护电路 郭慧民 陈 杰 ; 200610001710.1 2006-01-23
一种非平面沟道有机场效应晶体管 于 贵 狄重安 刘洪民 刘云圻 刘新宇 徐新军 孙艳明 王 鹰 吴德馨 朱道本 ; 200510130758.8 2005-12-28
一种实时位真仿真开发系统及其方法 吴 斌 周玉梅 黑 勇 王小琴 乔树山 周 璇 ; 200510130772.8 2005-12-28
基于功耗分布的电源网络设计方法 蒋见花 刘海南 周玉梅 叶 青 ; 200510130693.7 2005-12-21
一种多处理器芯片的二维方格布局结构 周朝显 陈 杰 ; 200510130692.2 2005-12-21
利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法 涂德钰 王丛舜 刘 明 ; 200510126492.X 2005-12-14
一种紫外固化纳米压印模版的制备方法 涂德钰 王丛舜 刘 明 ; 200510130437.8 2005-12-08
采用正性电子抗蚀剂制备金属纳米电极的方法 龙世兵 刘 明 陈宝钦 ; 200510130438.2 2005-12-08
采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法 石莎莉 陈大鹏 欧 毅 谢常青 叶甜春 ; 200510127446.1 2005-12-02